Ce:YAG高温闪烁晶体除了具有表1-11所列的闪烁性能外，还具有较好光脉冲区分γ射线和α粒子的能力，能与硅光二极管有效耦合，耐高温不潮解，可以应用于极端条件下[100]-[102]。因此，Ce:YAG与硅光二极管耦合做成的闪烁探测器可以广泛应用于低能γ射线，α粒子等轻带电粒子探测等核物理的实验中[100][101]。另外，Ce:YAG单晶片还可以用作扫描电子显微镜的显示元件，在大规模集成电路的检测方面有着重要的广阔的应用[107]。另外，与CsI:Tl闪烁晶体相比，Ce:YAG闪烁晶体在小于500Kev能量范围其γ响应小，光衰减快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl闪烁晶体的应用，表1-11比较了Ce:YAG和CsI:Tl闪烁晶体的主要闪烁性能后期热处理是*次于晶体生长过程的对Ce: YAG发光性能有关键影响的因素。陕西专业加工CeYAG晶体
铈离子掺杂氟化物闪烁晶体
一般来说，纯氟化物晶体的闪烁机制通常是CVL、STE等闪烁荧光机制，光衰减快，可广泛应用于快速闪烁计数领域。然而，氟化物闪烁晶体的光输出小，发射波长接近紫外，晶体的热力学性质差。为了提高氟化物闪烁晶体的性能，人们对掺铈氟化物闪烁晶体进行了研究。研究表明，在BaF2闪烁晶体中掺杂Ce3离子不但可以有效压制慢成分，提高快衰落光输出，而且可以提高晶体的辐照强度和热力学性能[52]。在LiBaF3晶体中掺杂铈离子也可以大提高晶体的闪烁性能[53]。 湖北超薄片CeYAG晶体Ce：YAG晶体有<111>晶向的吗？
文献[74][75][77]已经系统地报道了Ce:YAP高温晶体的闪烁性能，现总结如下：相对光输出约为NaI:Tl的38-50%；光衰减，对于γ-射线激发，快成分衰减时间约为26.7±0.12ns，强度占89±2%，慢成分衰减常数为140±10ns，对于α－粒子激发快成分衰减常数为24.8±0.12ns，强度占85±2%，慢成分衰减常数为100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序数（Zeff=39）等。与其它常用闪烁晶体相比，Ce:YAP晶体还具有下列闪烁特征：
（1）光输出的温度特性好[38] [75] [77]。Ce:YAP晶体光输出随温度变化特性如图1-7所示[75]，在25~200oC 区间内，晶体光产额随温度增加基本保持不变。与其它晶体如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的这种对温度依赖小的特性可以使其在高温环境下使用。
铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出快衰减等闪烁特征，是今后无机闪烁晶体的一个重要发展方向。目前我国对闪烁晶体的研究主要集中在低熔点的闪烁晶体上，而且中科院上海硅酸盐研究所和北京玻璃研究所等单位在BGO，PWO，CsI:Tl，BaF2等晶体的研究和开发上在国际上占有一席之地，为发展我国的无机闪烁晶体产业作了大量的工作。但是，对于具有广泛应用前景的高光输出快衰减高温无机闪烁晶体的研究，在国内尚不成气候，同时也未见详细的报道。为了填补我国在高温闪烁晶体研究领域的空白，本论文选取具有优良闪烁性能的Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体为研究对象，围绕高温闪烁晶体存在的主要问题及其发展趋势，重点开展了提拉法与温梯法生长Ce:YAP和Ce:YAG晶体的研究与表征工作。Ce:YAG晶体在530nm发射荧光，发光波长与硅光电二极管的探测灵敏区匹配.
Ce:YAG高温闪烁晶体不但具有闪烁性能，而且具有良好的光脉冲分辨射线和粒子的能力，能与硅光二极管有效耦合，耐高温不潮解，可在极端条件下应用。因此，用Ce:YAG与硅光二极管耦合制成的闪烁探测器可普遍应用于低能射线、粒子等轻带电粒子的探测等核物理实验。此外，Ce:YAG单片机还可以作为扫描电子显微镜的显示元件，在大规模集成电路的检测中有着重要而普遍的应用。另外，与CsI:Tl闪烁晶体相比，Ce:YAG闪烁晶体响应小，光衰减快，在小于500Kev的能量范围内不潮解，有望部分替代CsI:Tl闪烁晶体。表1-11比较了Ce3360 YAG和CsI:Tl闪烁晶体的主要闪烁特性。YAG晶体的矿物学名称为钇铝石榴石，分子式为Y3Al5O12, 属于立方晶系.加工CeYAG晶体以客为尊
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Ce3+离子的光谱是由不同宇称的5d－4f跃迁所产生的，所以晶场对光谱具有重要的影响。YAP晶体具有畸变的钙钛矿型结构，属于正交晶系（晶胞参数分别为a=5.176Å, b=7.355Å，c=5.307Å），空间群为－Pnma[66]。在YAP晶格中，Al3+离子占据着钙钛矿型结构中C1格位对称性的B位置，其配位数为8；Y3+离子占据着该结构中C1h对称性的A位置，其配位数为12[73]。当Ce3+离子进入YAP晶格中，Ce3+离子取代具有C1h对称性的Y3+离子。4f1电子组态的Ce3+离子的基态由2F7/2和2F5/2两重态组成，在室温下，1个电子占据基态2F5/2；其5d态在低对称晶场（C1h）作用下分裂成5个子能级。Ce3+离子在YAP晶体中的能级图如1-4所示[67]，其能级重心约为38300cm-1，f-d吸收和发射的斯托克斯频移约为4500cm-1。当电子在5d－4f能级之间跃迁时形成宽带吸收激发以及发射光谱。在180－300nm范围内对应5个吸收带，峰值波长分别为220nm，238nm，275nm，290nm和303nm（一般在图谱上只能观察到后面4个峰值波长），但在其激发光谱上5个激发带都可以分辨（对应370nm发射）。YAP晶体的基本吸收边（禁带宽度）约为7.6eV[73]。陕西专业加工CeYAG晶体
