(1) 二维X射线成像应用[84]。Ce:YAP闪烁晶体因其光衰减**0ns），在快速X射线探测方面有其独特之处[70][71]。X射线日本科学家Suzuki等[84]**近报道了用1.0×1.0×6.0mm3的Ce:YAP晶体元件组成128×128矩阵，在72－84Kev能量范围内获得了二维空间分辨率小于1mm，探测效率大于50%的二维X射线成像结果。
(2) 低能重粒子探测应用[88][89]。Ce:YAP闪烁晶体对低能量中等有效原子序数的重粒子具有较好的探测效率。文献[88][89]报道了Ce:YAP晶体对5－34Mev能量的16O，28Si，35Cl和79Br等粒子响应结果，并且所得结果与BaF2闪烁晶体相当。同时，Ce:YAP晶体还有较强的区分α，γ，β等射线和粒子的能力[75][77]。
(3) 其它应用[68]-[71][78][79][85][86]。另外，Ce:YAP闪烁晶体在SEM中电子探测、UV光子探测以及其它高能物理核物理领域也有***的应用。 Ce:YAG晶体主要运用在哪个领域？山东111方向CeYAG晶体
研究Ce:YAG闪烁晶体中Ce离子分布特征，对研究YAG闪烁晶体的性能及其应用具有重要的现实意义。值得注意的是，优良高温闪烁晶体Ce:LSO和Ce:LuAP也同样遭遇铈离子发光中心分布不均匀的问题。所以，研究Ce离子在YAG晶体中的分凝问题对其它高温闪烁晶体的研究具有借鉴作用。
另外，由于Ce离子分凝系数小，通常在提拉法生长Ce:YAG晶体的后期往往会产生组分过冷而严重影响了Ce:YAG晶体的质量。因此，探索其它的高温闪烁晶体的制备方法也具有重要的意义。 低浓度CeYAG晶体厂家供应Ce:YAG晶体具有优良的闪烁性能。
Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体具有良好的物化性能，是无机闪烁晶体中较有优势的晶体，在中低能量粒子射线探测方面有很大的应用潜景。随着应用需求的变化，对闪烁晶体尺寸的要求也在不断增加，生长大尺寸的闪烁晶体变得日益重要。同时国内目前生长的Ce:YAP 晶体长期存在自吸收问题，导致光产额一直无法有效提高。因此解决自吸收问题，生长大尺寸的Ce:YAP 晶体对闪烁材料的研究和应用具有重要意义。由于温梯法在生长大尺寸晶体上存在优势，由温梯法生长大尺寸Ce:YAG晶体，并通过改进后期退火工艺，有望获得大尺寸高性能的Ce:YAG晶体。
1.1.1 研究目的铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出快衰减等闪烁特征，是无机闪烁晶体的一个重要发展方向，而Ce:YAP和Ce:YAG是其中较有优势的晶体。随着应用需求的变化，对闪烁晶体尺寸的要求也在不断增加，生长大尺寸的闪烁晶体变得更为重要。同时国内目前生长的Ce:YAP 晶体普遍存在自吸收问题，导致光产额一直无法有效提高，且其机理至今仍不清楚。为了有效提高Ce:YAP 晶体的闪烁性能，解决其自吸收问题，提高晶体的发光强度，着重研究了Ce:YAP 晶体的自吸收机理。同时为了得到大尺寸高发光效率的Ce:YAG晶体，用温梯法尝试了大尺寸Ce:YAG晶体的生长，并对晶体的比较好热处理条件进行了摸索。本论文主要围绕大尺寸Ce:YAP晶体的生长及其自吸收问题，和温梯法大尺寸Ce:YAG晶体的生长和退火研究，以真正提高晶体的实用性能。 用温梯法成功生长了直径为 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 闪烁晶体，晶体具有良好的外形和光学性质。
1.1.1.1Ce:YAG晶体存在的主要问题除了熔点温度高（1970oC）外，Ce:YAG晶体中存在的主要缺点是Ce离子在晶体中的分布不均匀，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)离子的半径相差较大，其分凝系数较小（~0.1）造成的。发光中心分布在晶体中分布不均匀将会导致探测元件闪烁性能的差异，在一定程度上降低了闪烁探测器的整机性能。研究表明[101]，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。下列图表分别表示了Ce:YAG闪烁晶体的光输出和衰减常数(快成分与慢成分)随Ce离子的浓度的变化关系。从表1-12中可以看出随着浓度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶体的光输出增大（1000－1420phe/Mev），当浓度继续增加到1.08%时，其光输出又减小为1270phe/Mev。（表中所列光输出是通过比较661.6Kev能量γ射线（137Cs）全能峰的位置与单光电子峰位置获得的，采用XP2020Q光电倍增管记录[101]）。CeYAG晶体具体有什么作用的？山东高科技CeYAG晶体
CeYAG晶体是闪烁晶体还是激光晶体？山东111方向CeYAG晶体
式中N为衰减时间谱成分的个数，为第i个衰减谱的平均寿命，Ii为它的相对发光强度。实际上，仪器存在一定的分辨率函数P(t)，谱线总的响应函数S(t)可以看作理想的发光衰减时间谱上各点经分辨率函数P(t)展宽后的迭加。于是，中心位于t1的P(t)函数对任意一点t处的响应函数S(t)函数值的贡献就是 S*(t1)P(t-t1)dt1，对所有可能的t1取值求和即可得到谱仪的响应函数为
(2.2.5)
形如上式的积分在数学上称为卷积分，S(t)是可实际测量的发光衰减时间谱，根据实际测量的S(t)和P(t)函数，由式(2.4.2)求出S*(t)的过程称为解卷积。为了解卷积，常将P(t)用一便于处理的解析式代替，一般采用高斯函数
(2.2.6)
式中s是高斯函数的标准偏差。T0是谱仪时间零点。根据式(2.2.3)及常用的分辨率FWHM的定义很容易得到FWHM与s的关系为
(2.2.7)
将式(2.4.4)、(2.4.6)代入（2.4.5）作积分得
(2.2.8)
式(2.3.8)所确定的函数就可描述实验测得的衰减时间谱，将实验所得数据进行非线形**小二乘法的拟合即可求得各发光成分的衰减时间及其相应的发光强度。我们采用的数据处理软件为Microlab Origin 7.5。 山东111方向CeYAG晶体
