无机闪烁晶体可用于安全检查和反恐斗争
安全检查和反恐斗争不但关系到人民生命财产的安全，也关系到国家和社会的利益，甚至关系到全世界的利益。美国“9.11”事件向世界爱好和平的人民证明了这一点。核探测技术在国际安全检查和反恐斗争中发挥着重要作用。例如，利用核技术检测机场列车中的行李和邮件，检测爆破和火灾等安全隐患，以及由公安和海关等部门检查BaF2和BGO等无机闪烁晶体是一种安全、可靠、快速、方便的有效方法，在该领域具有很大的应用潜力[37]。据统计，如果高效高密度无机闪烁晶体的价格能够控制在3美元/cm3的范围内，那么近十年在行李检查中的应用将超过10亿美元[[39]。因此，这是一个非常有吸引力的应用领域。 由温梯法生长大尺寸Ce:YAG晶体，并通过改进后期退火工艺，有望获得大尺寸高性能的Ce:YAG晶体。湖南CeYAG晶体厂家报价
Ce:YAG高温闪烁晶体不但具有闪烁性能，而且具有良好的光脉冲分辨射线和粒子的能力，能与硅光二极管有效耦合，耐高温不潮解，可在极端条件下应用。因此，用Ce:YAG与硅光二极管耦合制成的闪烁探测器可普遍应用于低能射线、粒子等轻带电粒子的探测等核物理实验。此外，Ce:YAG单片机还可以作为扫描电子显微镜的显示元件，在大规模集成电路的检测中有着重要而普遍的应用。另外，与CsI:Tl闪烁晶体相比，Ce:YAG闪烁晶体响应小，光衰减快，在小于500Kev的能量范围内不潮解，有望部分替代CsI:Tl闪烁晶体。表1-11比较了Ce3360 YAG和CsI:Tl闪烁晶体的主要闪烁特性。青海定制CeYAG晶体Ce:YAG晶体的密度是多少？
1.1.1.1.1Ce:YAG闪烁晶体的光谱特征在Ce:YAG晶体中，Ce3+离子取代具有D2对称性的Y3+格位，受晶场的作用，具有4f1电子组态的Ce3+离子的基态劈裂为2F5/2和2F7/2双重态，其5d能态被劈裂为5个子能级，比较低5d子能级距基态约为22000波数。自由Ce3+离子以及在YAG晶场作用下其能级结构如图1-9所示[97]。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于f－d跃迁，具有宽带快衰减等特征。在大于YAG晶体吸收边（约200nm）在可见光范围可以观察到峰值波长为223nm，340nm，372nm及460nm四个特征吸收峰，分别对应Ce3+离子的4f到5d子能级的跃迁。在室温下，其荧光光谱是一个从500nm到700nm范围的宽带谱，峰值约为525nm，对应比较低5d子能级到2F5/2基态能级[96]。
Ce:YAG晶体的闪烁特征及其应用Ce:YAG高温闪烁晶体除了具有表1-11所列的闪烁性能外，还具有较好光脉冲区分γ射线和α粒子的能力，能与硅光二极管有效耦合，耐高温不潮解，可以应用于极端条件下[100]-[102]。因此，Ce:YAG与硅光二极管耦合做成的闪烁探测器可以广泛应用于低能γ射线，α粒子等轻带电粒子探测等核物理的实验中[100][101]。另外，Ce:YAG单晶片还可以用作扫描电子显微镜的显示元件，在大规模集成电路的检测方面有着重要的广阔的应用[107]。另外，与CsI:Tl闪烁晶体相比，Ce:YAG闪烁晶体在小于500Kev能量范围其γ响应小，光衰减快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl闪烁晶体的应用Ce: YAP和Ce: YAG.晶体不仅具有高光输出和快衰减的闪烁特性,且其基质晶体还具有优良的物理化学特性.
在Ce:YAG晶体中，Ce3+离子取代具有D2对称性的Y3+格位，受晶场的作用， 具有4f1电子组态的Ce3+离子的基态劈裂为2F5/2和2F7/2双重态，其5d能态被劈裂为5个子能级，比较低5d子能级距基态约为22 000波数。自由Ce3+离子以及在YAG晶场作用下其能级结构如图1-9所示[97]。
在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于f－d跃迁，具有宽带快衰减等特征。在大于YAG晶体吸收边（约200nm）在可见光范围可以观察到峰值波长为223nm，340nm，372nm及460nm四个特征吸收峰，分别对应Ce3+离子的4f到5d子能级的跃迁。在室温下，其荧光光谱是一个从500nm到700nm范围的宽带谱，峰值约为525nm，对应比较低5d子能级到2F5/2基态能级[96]。如果高能射线入射时，其荧光光谱发生红移，其发光波长为550nm，与硅光二极管能很好地耦合 哪里可以定制Ce：YAG？陕西111方向CeYAG晶体
无机闪烁晶体的一个重要发展方向，而Ce:YAG是其中较有优势的晶体。湖南CeYAG晶体厂家报价
Ce:YAP晶体中Ce3离子5d4f跃迁对应的荧光光谱为330 ~ 400nm之间的一个带，其峰值约为365 ~ 370nm。Ce3的光致发光强度以单指数形式衰减，其衰减常数在室温下约为16 ns[73]。高能射线和粒子激发产生的闪烁光衰减常数远大于16ns，一般在22-38 ns之间，也有慢成分和强背景[8][70]，如图1-5 [8]。这主要是由于Ce3离子中心电荷载流子的延迟复合。此外，Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。这主要是由于不同性质的色心的存在和ce离子的价态(Ce4对Ce3有猝灭作用[59])。因此，不同生长方法得到的Ce:YAP晶体的闪烁特性会有所不同。Baryshevsky等人【72】研究了直拉法和真空水平区熔法生长的YAP和Ce:YAP晶体的光谱特性，提出了这两种方法中的色心模型真空气氛中生长的晶体的色心是电子俘获色心，即F(VO 2e)和F (VO e)。直拉法的色心类型主要是空穴俘获色心，即Vc2-(Vc h)和Vc-(Vc 2h)，出现在(f -VC-)的构型中，如下图所示。下图所示光子频率为 1=277 nm， 2=410 nm， 3=602 nm， 4=666 nm， 5=520 nm， 6=615 nm， 7=333 nm。湖南CeYAG晶体厂家报价
