例如，在高能物理(HEP)或中能物理(IEP)实验中，光输出并不重要，但它要求晶体具有更快的时间衰减、更大的原子序数和密度等。然而，在PET等应用中，要求闪烁晶体具有高光输出、快速衰减和高密度。总之，许多应用领域要求闪烁晶体具有高光输出快速衰减和高密度的特性，特别是具有高光输出快速衰减的优异性能。可以预见，随着人类活动的扩大和科技水平的提高，以及闪烁探测器向小型化、紧凑化和精密化方向发展，不同的应用领域将动态要求无机闪烁晶体具有更好的闪烁性能和优异的物理化学性能[9]、[27]、[21]和[40]。 TGT-Ce:YAG的主要缺陷是什么？广东CeYAG晶体供应
深度剖析Ce:YAG晶体。Ce:YAG晶体属于无机闪烁晶体。发光中心的激发与发射之无机闪烁晶体中的发光中心，可分为本征发光中心和非本征发光中心。本征中心包括：，自陷激子(STE)、基质的组成原子，或原子团以及晶格中的杂质，或其他点缺陷。非本征发光中心，主要包括人工诱导的激发中心。发光中心主要通过依次捕获电子和空穴，或者依次捕获空穴和电子来激发。终，被激发的发光中心发出紫外或可见光子，即闪烁光的发射。
C ＋ h → A+ C+ ＋ e → (C)* (C)* → hν
上式表示了发光中心激发与发射过程：上式中发光中心C表示，空穴、电子：h、e表示，(C)*表示处于激发态的发光中心。 北京正规CeYAG晶体厂家报价CeYAG晶体可以用于影像核医学吗？
无机闪烁晶体(Ce:YAG)的闪烁机理之电子空穴对的产生
2.该过程可由以下公式(1.1)表示：
A ＋ hν → A+ + e
在上式中，hν 是入射γ光子的能量；a表示是无机闪烁晶体中的原子；a+是离子；e是产生的一次电子。在这个过程中，原子的内层也会产生初级空穴。
闪烁机制的第二步是电子和空穴的豫过程。一方面，对于非辐射豫或辐射豫，A离子通过内部空穴从K层迁移到L、M和其他俄歇层而发射光子，从而发射俄电子。通常，非辐射豫的概率远远大于辐射豫的概率
ce:YAG晶体属于无机闪烁晶体，无机闪烁晶体机理2：电子空穴对的产生。由于原子内层电子能级之间的跃迁，会产生X射线，可能被闪烁体重新吸收，产生新的空穴和自由电子；另一方面，具有较高能量的初级光电子和次级俄歇电子主要通过下式(1.2)的级联电离过程弛豫以耗散它们的能量。
A + e A 2 e
A + 2 e A 3 e
另外，在电子－电子驰豫过程中，电子还可以通过在晶体中形成F、H以及其它的点缺陷而损失其能量。0终将在无机闪烁晶体中形成大量的导带电子、价带空穴以及芯价激子等。在闪烁的第二阶段，一些快速电子还会与原子的价电子相互作用而引起电子连续的集体振荡，形成元激子(Plasmons)，其能量一般为10到20eV，寿命为10-15秒。闪烁晶体中的元激子会衰减为电子空穴对。 CeYAG晶体生长工艺有哪些？111方向CeYAG晶体生产厂家
Ce:YAG晶体的X射线激发谱多少？广东CeYAG晶体供应
在Ce:YAG晶体中，Ce3离子以D2对称性取代Y3位。在晶体场的作用下，4f1电子构型的Ce3离子基态分裂为2F5/2和2F7/2双态，其5d能级分裂为5个子能级，比较低5d子能级离基态约22 000波。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于F-D跃迁，具有宽带、衰减快的特点。在可见光范围内可以观察到4个特征吸收峰，峰值波长分别为223nm、340nm、372nm和460nm，对应于Ce3离子从4f到5d的亚能级跃迁。在室温下，其荧光光谱为500纳米至700纳米的宽带光谱，峰值约为525纳米，对应比较低5d子能级至2F5/2基态能级。如果高能射线入射，其荧光光谱向红色移动，发射波长为550纳米，可以很好地与硅光二极管耦合。广东CeYAG晶体供应
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