铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出快衰减等闪烁特征，是无机闪烁晶体的一个重要发展方向，而Ce:YAP和Ce:YAG是其中较有优势的晶体。随着应用需求的变化，对闪烁晶体尺寸的要求也在不断增加，生长大尺寸的闪烁晶体变得更为重要。同时国内目前生长的Ce:YAP 晶体普遍存在自吸收问题，导致光产额一直无法有效提高，且其机理至今仍不清楚。为了有效提高Ce:YAP 晶体的闪烁性能，解决其自吸收问题，提高晶体的发光强度，着重研究了Ce:YAP 晶体的自吸收机理。同时为了得到大尺寸高发光效率的Ce:YAG晶体，用温梯法尝试了大尺寸Ce:YAG晶体的生长，并对晶体的比较好热处理条件进行了摸索。本论文主要围绕大尺寸Ce:YAP晶体的生长及其自吸收问题，和温梯法大尺寸Ce:YAG晶体的生长和退火研究，以真正提高晶体的实用性能。 目前生长的Ce:YAP 晶体长期存在自吸收问题，导致光产额一直无法有效提高。广西CeYAP晶体批发价
另一个类似于辐射长度的物理量叫做摩尔半径(RM):RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.13)
小摩尔半径有利于减少其他粒子对能量测量的污染。吸收系数、辐射长度和摩尔半径与晶体密度直接或间接成反比。因此，寻找高密度闪烁晶体已成为未来闪烁晶体的一个重要研究方向。为了减小探测器的尺寸和成本，希望探测器越紧凑越好。因此，要求闪烁晶体在防止辐射方面尽可能强，表现为晶体的吸收系数大、辐射长度短、摩尔半径小。
晶体中e3的电子结构、能级结构和发光特性
表1-3给出了镧系元素的电子壳层结构和离子半径。从表中可以看出，Ce元素的电子结构为[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的电子结构以[Xe]4f1为特征，Ce3的内部电子结构为惰性原子结构，0外层只有一个电子结构，所以Ce3在晶体中具有独特的能级结构和发光特性[10-12]:
(1)Ce3离子的一个电子在4f能级上L=3，在5d能级上L=2，它们的宇称不同，所以Ce3离子的5d-4f跃迁是允许的电偶极子跃迁。在这个允许的5d-4f跃迁中，电子在5d能级的寿命很短，一般在低5d能级的30~100ns，所以作为闪烁晶体的发光中心，它的衰变时间很短。
江西常规尺寸CeYAP晶体不同浓度Ce:YAP晶体自吸收比较。
530nm 发射波长在475K 退火后增强，说明退火过程中存在 Mn3+ 得到电子转化成 Mn2+ 的过程：Mn3+ + e = Mn2+，该过程与TSL 谱中459K 处发光有关。在550K 退火后，Ce3+ 离子在485nm左右的发光峰增强了近一倍，说明TSL 谱中507K 峰主要与Ce4+ 电子转化成Ce3+ 有关，即：Ce4+ + e = Ce3+。从550 K开始，更多的Mn5+离子开始转变成Mn4+ 离子，产生位于约675 K的热释光峰。当加热到700 K时，几乎所以Mn5+ 离子色心都被消除，晶体回复到辐照前的颜色。因此700K 退火后，XEL谱中 714nm 处的Mn4+离子明显增强。
考虑到不同生长气氛会引起Ce离子变价，使Ce3+ 数量发生变化，从而对荧光强度可能会造成的影响，测试了浓度均为0.3% YAP: Ce样品的红外透过谱，以比较对应样品中Ce3+ 离子的浓度。YAP: Ce晶体的 Ce3+ 离子在1800cm-1－4000cm-1范围内具有3个较强的吸收峰，分别对应于2087cm-1，2702cm-1和3260cm-1，在2480cm-1左右有一个很弱的吸收峰，所有这些吸收峰对应于Ce3+ 离子基态2F5/2到基态2F7/2的Stark子能级之间的跃迁，属于禁戒跃迁，强度低，受晶场作用弱，因此可以方便地用来表征晶体中Ce3+ 离子的浓度[108]。YAP会出现着色现象吗？
不同厚度的Ce: YAP晶体样品的透过谱。不同厚度Ce: YAP晶体的透过性能有很大差别，随厚度增加，样品的透过边发生明显红移。由图4-3 为不同厚度Ce: YAP 晶体样品的X射线激发发射谱，随样品的厚度增加，X射线激发发射谱强度明显降低, 且峰位发生红移。考虑到样品具有相同浓度和发光面积，光致荧光强度基本相同，我们对365nm激发的发射谱作了归一化处理并与透过谱进行对比。把样品归一化后365nm处的发射峰与其透过谱相乘并进行积分，可反映自吸收对样品发光效率的影响。CeYAP可以用在哪方面?CeYAP晶体哪里买
CeYAP晶体低浓度与高浓度如何区分？广西CeYAP晶体批发价
因此，有一个空穴在内壳层的原子(A+)的弛豫过程是一个无辐射跃迁和辐射跃迁的层叠过程，其所需时间一般为10-13到10-15 s。
一个在离化过程中产生的自由电子在固体中运动时将离化一个原子A，可以下式表示：
A + e → A+ + 2e
在这个离化过程发生以后，导致离化的自由电子和在这个离化过程中产生的自由电子在本质上是难以区分的。这些二次离化事件的产物即上述离化过程产生的两个电子可以导致第三次离化，第四次离化，等等，从而导致产生电子和空穴的雪崩过程。这样的一个层叠离化过程将持续到产生的电子和光子不能产生进一步的离化为止。快电子通过与原子中电子进行非弹性散射的方式损失能量，因此闪烁过程的第二个阶段可以被称为电子－电子弛豫。这个阶段的**终产物是在晶体中的低能电子激发：导带电子，价带空穴，芯带和价带激子。随着初始电子的能量不同，电子－电子的弛豫时间一般为10-15-10-13 s。 广西CeYAP晶体批发价
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