第三，在弱还原气氛下生长了Ce:YAP 晶体，发现晶体的自吸收得到有效***，2mm厚度样品的透过边较惰性气氛下生长的样品蓝移近30nm，且发光强度提高50%以上。同时研究了还原气氛生长对Ce: YAP 晶体其他闪烁性能的影响。
第四，比较了不同价态离子掺杂对Ce: YAP 晶体闪烁性能的影响。结果发现两价离子掺杂对Ce: YAP 晶体闪烁性能有很强的负面影响，四价离子掺杂则有助于提高晶体的部分闪烁性能。还研究了Mn离子掺杂对Ce: YAP 晶体性能的影响。发现在YAP 基质中，Mn离子和Ce离子之间存在明显的能量转移过程，且Ce, Mn: YAP的衰减时间较Ce: YAP***缩短，其快慢成分分别为10.8ns 和 34.6 ns。 通过分析Ce: YAP 晶体的自吸收机理，发现Ce4+离子存在一电荷转移吸收峰，半高宽近100nm。广西CeYAP晶体市场价格
而作为复合中心的除了Mn5+离子外，还有Mn3+离子，Ce4+和O-离子等[117]，这些复合中心与电子复合发生如下反应：O+e-→O－O－+e-→O2－*Mn5++e-→Mn4++hvMn3++e-→Mn2++hvCe4++e-→Ce3++hv并将多余能量释放出来，产生热释光。在复合过程中，O2-,Ce和Mn离子之间会发生能量转移：O2－*+Mn4+→Mn4+*+O2-Mn4+*→Mn4++hv为了进一步了解不同温度发光峰发光性质，我们测试了经过辐照的Ce,Mn:YAP晶体在不同温度退火后的XEL谱，退火温度选取热释光峰的峰谷位置，分别为475K，550K和700K。辽宁CeYAP晶体量大从优Ceyap晶体与CeYAG晶体有什么区别？
生长Ce: YAP 晶体时，我们主要通过适当改变转速和改变腔结构来调节温场。保温罩设计成不同高度的模块，生长时不同高度的保温罩可叠加组合，同时保温罩盖也设计成不同口径。由于部分晶体等径结束后采用快速提拉脱离液面，晶体底部保留了比较完整在固液界面状况。为了方便比较，可定义固液界面锥度为 tgθ，
1．初始情况，晶体固液界面的锥度 tgθ= 0.81
2．保温罩高度增加20%，晶体固液界面的锥度增加 tgθ= 0.96
3．保温罩盖直径减小20%，晶体固液界面的锥度减小 tgθ= 0.51
4．晶体转速增加20%，晶体固液界面的锥度略变小 tgθ= 0.78
结果说明，在本Ce: YAP 晶体生长时，保温罩盖口径对温场影响比较大，主要原因是口径增加使腔内气体与外界对流增大，带走大量热量，**终影响固液界面。同样增加保温罩高度也有类似效果，但由于气流受开口限制，带走的热量相对比较少。我们用10mW绿光激光器测试了不同条件下生长Ce: YAP 晶体的散射情况，发现固液界面的锥度为0.8左右时，晶体的散射光路**少。同时我们发现晶体下半部分的光学质量会略优于上半部分，主要是由于晶体在生长过程中不断旋转，有一个搅拌过程，使原料更加均匀；并且液面下降后，坩埚露出液面部分起了后热器的作用。
不同浓度Ce: YAP的荧光光谱，在可见光激发下（300nm），不同浓度Ce: YAP 的荧光强度先随浓度增加直到0.5at%，当浓度为1.0at% 时，已出现浓度淬灭，发光强度开始下降。如4-7所示，在X射线激发下相同厚度（5mm）的Ce: YAP晶体随浓度增加发光强度先增加后减小，且峰位也存在红移，其中0.3at% 发光强度比较大。由于光致激发时受激和发射过程都发生在样品表面，自吸收对光致发光基本没有影响。在高能射线激发下，晶体在多次离化过程后，在内部产生大量电子空穴对，电子空穴对再把能量传给发光中心，发光过程基本在晶体内部发生。联系Ce: YAP晶体透过谱的结果，由于吸收峰与发光峰存在重叠，高能射线激发发光受自吸收的影响会比较明显。把晶体的透过谱和光致激发谱相乘，发现不同样品的结果均与对应的X射线激发发射谱相重合，表明Ce: YAP样品在X射线激发下发射峰随厚度或浓度增加产生的红移基本是由自吸收造成的。 CeYAP晶体一般常规浓度是多少？
不同气氛生长Ce: YAP的激发谱的强度，峰位，峰宽差别都比较大。从拟和情况看，惰性气氛生长晶体的3个发光峰成分比较接近高斯分布。而还原气氛生长晶体的3个发光峰从拟和结果看，不是很理想，说明其中发光成分，特别是294nm（34013cm-1）和316nm（31645 cm-1）两个发光成分不是普通的高斯分布。由于Ce3+ 离子的d激发态电子没有外电场屏蔽，非常容易受外场影响，但不同气氛生长样品的吸收谱中所有Ce3+ 吸收峰的位置都相同，因此可以认为还原气氛生长并没有改变晶体基本的能级结构。CeYAP晶体有哪些浓度？安徽生长CeYAP晶体
Ce:YAP一种典型的无机闪烁晶体，具有高光输出和快速衰减特性，可广泛应用于各种闪烁检测领域。广西CeYAP晶体市场价格
530nm 发射波长在475K 退火后增强，说明退火过程中存在 Mn3+ 得到电子转化成 Mn2+ 的过程：Mn3+ + e = Mn2+，该过程与TSL 谱中459K 处发光有关。在550K 退火后，Ce3+ 离子在485nm左右的发光峰增强了近一倍，说明TSL 谱中507K 峰主要与Ce4+ 电子转化成Ce3+ 有关，即：Ce4+ + e = Ce3+。从550 K开始，更多的Mn5+离子开始转变成Mn4+ 离子，产生位于约675 K的热释光峰。当加热到700 K时，几乎所以Mn5+ 离子色心都被消除，晶体回复到辐照前的颜色。因此700K 退火后，XEL谱中 714nm 处的Mn4+离子明显增强。广西CeYAP晶体市场价格
