Ca2+ 离子掺杂增加了晶体中的Ce4+ 离子和其他缺陷，严重影响了晶体的发光强度和衰减时间。Si4+离子掺质Ce: YAP晶体的XEL谱强度和衰减时间的快成分比Ce: YAP 有所改善，虽然还存在慢成分偏大等问题，但很有可能通过改进生长工艺提高晶体的闪烁性能。联系Zr4+ 的研究结果，4价离子掺杂通常对Ce: YAP晶体的闪烁性能具有改善作用。2价离子掺杂则容易导致Ce:YAP晶体缺陷增加而降低其闪烁性能，因此在生长过程中需要尽量避免2价离子影响。4价Si离子掺杂可能是进一步提高和改善Ce:YAP晶体闪烁性能的一个途径，但目前看，效果不如直接在还原气氛下生长。Ce:YAP晶体中Ce3离子5d4f跃迁对应的荧光光谱为330 ~ 400nm之间的一个带，其峰值约为365 ~ 370nm。专业加工CeYAP晶体推荐货源
与辐射长度类似的另一个物理量叫做摩尔(Moliere)半径(RM)：
RM≈X0×(Z+1.2)/37.74 (1.13)
小的摩尔半径有利于降低其它粒子对能量测量的污染。无论是吸收系数、辐射长度或摩尔半径都直接或间接地与晶体密度成反比关系，因此，寻找高密度闪烁晶体已成为今后闪烁晶体研究的一个重要方向。为了减少探测器的体积和造价，人们希望探测器的体积越紧凑越好，因此要求闪烁晶体对射线的阻止能力要尽可能地强，具体表现为晶体的吸收系数大、辐射长度短、摩尔半径小。 陕西CeYAP晶体量大从优Ce:YAP晶体的光学性能如何？
为了***籽晶中的缺陷向晶体中延伸，可采取必要的缩颈工艺。主要通过手动慢升温生长工艺来实现，也可以使用适当的升温程序。当提拉的晶体缩颈到所需尺寸(约Φ4-5mm)并维持一段时间后，启动生长程序进入生长过程。晶体放肩到合适的尺寸后(约Φ55~60mm)，自动进入等径生长阶段。晶体等径生长的长度约为100mm，加液面下降部分，等径全长在120mm左右。提拉后再用设定的降温程序冷却至室温，生长结束。下图为部分我们用提拉法生长的大尺寸Ce:YAP晶体。
从Ce3+ 离子2F7/2和2F5/2 态能级在YAP 晶体中的能级分裂看，2F7/2能级在晶体场中分裂的子能级宽度对应波数范围为3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 态能级分裂的子能级宽度范围为500 cm-1左右， 5d比较低能级的对应波数为33000 cm-1。可以得到Ce3+ 在YAP基质中激发谱(d-f 跃迁)的比较低能级跃迁的波长为336.1nm（29750 cm-1），因此316nm的激发峰成分虽然发光波长比较偏红光方向，但仍在允许范围内。当激发波长从294nm（34013cm-1）到316nm（31645 cm-1）变化时，各子能级都有可能被激发，且不同能量激发时各子能级之间的跃迁强度比可能会有所差别。因此激发谱中几个发光成分其实还可以再分解为不同子能级的发光，而且叠加后的峰形会比单峰明显展宽，普通的拟和只能作近似表达。CeYAP晶体有什么优势?
0.5at% 范围内，随着Ce3+ 离子浓度增加，Ce: YAP晶体的发光强度会相应增加，但同时自吸收引起的透过边红移导致实际光输出减少，在高能射线激发下晶体的**终发光强度是这两个因数的综合结果，从XEL谱实验结果分析该厚度时，Ce3+ 离子浓度在0.3at% 左右比较合适。但如果能把Ce: YAP晶体的透过边往短波方向移动，就能减少自吸收，使发射峰位蓝移并提**度，从而能提高晶体在高能射线激发下的光产额。通常通过氢气退火可比较有效地***自吸收现象。无机闪烁晶体的性能表征？天津常规尺寸CeYAP晶体
不同气氛生长Ce:YAP晶体透过和荧光谱有什么不同？专业加工CeYAP晶体推荐货源
掺杂浓度为3at%的YAP:Mn晶体呈多晶形态，单晶生长未获成功，我们认为这与Mn4+在YAP晶体中分凝系数较小有关。Mn4+进入YAP晶格取代Al3+离子所必需的电荷补偿除一部分由Mn2+离子提供外，主要由YAP晶体中本身存在的大量Y3+离子空位(VY)提供。由于电荷补偿，离子半径与电负性的差异，YAP晶体中掺杂的Mn离子浓度不能过高。根据文献[27]Mn离子在YAP中的分凝系数约为0.1～0.12,分凝系数低说明Mn离子不易进入YAP晶格。M. A. Noginov等成功生长了YAP:Mn(2at%)晶体[184][185]，这是目前为止报道的比较高Mn离子掺杂浓度的YAP晶体。YAP:Mn(3at.%)单晶生长失败可能是因为Mn离子浓度过高，熔融中大量Mn离子无法进入YAP晶格，导致单晶生长失败。专业加工CeYAP晶体推荐货源
