1.1 无机闪烁晶体的性能表征在选择无机闪烁晶体时，根据不同的应用需要，一般要考虑因素包括[9]：
衰减时间; 能量转换效率和闪烁光产额; 密度，原子序数，阻截功率等。
(1) 衰减时间常数
对于只具有一种类型的发光中心的闪烁体，当其发光强度按照一级动力学进行衰减时，衰减时间常数可以有如下简单的定义：即当发光强度J(t)衰减为初始发光强度J(0)的1/e时所经历的时间。用公式表示如下：
J(t) = J(0)exp(-t/τ) (1.2)
上式1.3中的τ即表示的是衰减时间常数。对于计数率要求较高的应用中，要求闪烁晶体具有较快的衰减时间常数。
对于电偶极允许的跃迁，其发光衰减时间可以用下式表示：
τ = CeYAP晶体不同浓度是如何辨别？山东超薄片CeYAP晶体
铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出快衰减等闪烁特征，是无机闪烁晶体的一个重要发展方向，而Ce:YAP和Ce:YAG是其中较有优势的晶体。随着应用需求的变化，对闪烁晶体尺寸的要求也在不断增加，生长大尺寸的闪烁晶体变得更为重要。同时国内目前生长的Ce:YAP 晶体普遍存在自吸收问题，导致光产额一直无法有效提高，且其机理至今仍不清楚。为了有效提高Ce:YAP 晶体的闪烁性能，解决其自吸收问题，提高晶体的发光强度，着重研究了Ce:YAP 晶体的自吸收机理。同时为了得到大尺寸高发光效率的Ce:YAG晶体，用温梯法尝试了大尺寸Ce:YAG晶体的生长，并对晶体的比较好热处理条件进行了摸索。本论文主要围绕大尺寸Ce:YAP晶体的生长及其自吸收问题，和温梯法大尺寸Ce:YAG晶体的生长和退火研究，以真正提高晶体的实用性能。 专业生长CeYAP晶体订做价格ceyap生产厂家的联系方式？
0.5at% 范围内，随着Ce3+ 离子浓度增加，Ce: YAP晶体的发光强度会相应增加，但同时自吸收引起的透过边红移导致实际光输出减少，在高能射线激发下晶体的**终发光强度是这两个因数的综合结果，从XEL谱实验结果分析该厚度时，Ce3+ 离子浓度在0.3at% 左右比较合适。但如果能把Ce: YAP晶体的透过边往短波方向移动，就能减少自吸收，使发射峰位蓝移并提**度，从而能提高晶体在高能射线激发下的光产额。通常通过氢气退火可比较有效地***自吸收现象。
由此可见，辐射长度（X0）与吸收系数（μ）呈反比，所以吸收系数越大。辐射长度越短。辐射长度可近似地用下式表示：
X0=180A/(Z2ρ) (1.12)
其中A为原子量，Z为有效原子序数，ρ为密度。从这个式子可以看出，有效原子序数越高、密度越大，晶体辐射长度越短。由于电磁量能器用闪烁晶体的长度一般为20 X0，所以使用辐射长度小的晶体有利于缩小探测器的体积；另一方面，辐射长度越长，所需材料越长，难以保证材料的均匀性。
与辐射长度类似的另一个物理量叫做摩尔(Moliere)半径(RM)：
RM≈X0×(Z+1.2)/37.74 大家Ce:YAP晶体如何退火？
第三，在弱还原气氛下生长了Ce:YAP 晶体，发现晶体的自吸收得到有效***，2mm厚度样品的透过边较惰性气氛下生长的样品蓝移近30nm，且发光强度提高50%以上。同时研究了还原气氛生长对Ce: YAP 晶体其他闪烁性能的影响。
第四，比较了不同价态离子掺杂对Ce: YAP 晶体闪烁性能的影响。结果发现两价离子掺杂对Ce: YAP 晶体闪烁性能有很强的负面影响，四价离子掺杂则有助于提高晶体的部分闪烁性能。还研究了Mn离子掺杂对Ce: YAP 晶体性能的影响。发现在YAP 基质中，Mn离子和Ce离子之间存在明显的能量转移过程，且Ce, Mn: YAP的衰减时间较Ce: YAP***缩短，其快慢成分分别为10.8ns 和 34.6 ns。 Ceyap晶体哪家公司长？辽宁生长CeYAP晶体
Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。山东超薄片CeYAP晶体
热释光是物质预先吸收了辐射能之后的热激发光。产生热释光的三个基本要素是：***，材料必须是绝缘体或半导体；第二，该材料在受辐照的同时必须吸收能量；第三，用加热该材料的方法可以激发光发射[96]。热释光对分析闪烁晶体中存在的缺陷和及其对发光和时间特性的影响有很大帮助。我们测试主要用北京核仪器厂的 FJ427A1型微机热释光剂量仪。
吸收辐射能之后，光的发射显示出一个特征时间，我们把小于10-8 s的发光叫荧光，把大于10-8 s的发光叫磷光。小于10-8 s的值给出了荧光发射基本过程的定义，把荧光发射描绘成与辐射吸收同时发生并随辐射停止而立即消失的过程。磷光的特征是在辐射吸收与发光达到**强的时间之间有一个时间延迟，而且在激发停止后磷光会持续一段时间。通常都用辐射与固体电子之间的能量转换来解释光发射现象，图2-6是热释光产生过程中的能级跃迁简单示意图。例如把电子从基态激发到激发态，单受激电子返回基态时就引起光子发射。这种荧光跃迁之间的时间间隔小于10-8 s，而且过程与温度无关。可以假设在电子的基态g和激发态e之间存在亚稳态m，从g激发到e的电子可能被束缚在m内，直到获得足够的能量E使之从m返回到e，然后返回到g并伴随光发射。 山东超薄片CeYAP晶体
