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CeYAG晶体企业商机

Ce:YAP晶体中Ce3离子5d4f跃迁对应的荧光光谱为330 ~ 400nm之间的一个带,其峰值约为365 ~ 370nm。Ce3的光致发光强度以单指数形式衰减,其衰减常数在室温下约为16 ns[73]。高能射线和粒子激发产生的闪烁光衰减常数远大于16ns,一般在22-38 ns之间,也有慢成分和强背景[8][70],如图1-5 [8]。这主要是由于Ce3离子中心电荷载流子的延迟复合。此外,Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。这主要是由于不同性质的色心的存在和ce离子的价态(Ce4对Ce3有猝灭作用[59])。因此,不同生长方法得到的Ce:YAP晶体的闪烁特性会有所不同。Baryshevsky等人【72】研究了直拉法和真空水平区熔法生长的YAP和Ce:YAP晶体的光谱特性,提出了这两种方法中的色心模型真空气氛中生长的晶体的色心是电子俘获色心,即F(VO  2e)和F  (VO  e)。直拉法的色心类型主要是空穴俘获色心,即Vc2-(Vc  h)和Vc-(Vc  2h),出现在(f  -VC-)的构型中,如下图所示。下图所示光子频率为 1=277 nm, 2=410 nm, 3=602 nm, 4=666 nm, 5=520 nm, 6=615 nm, 7=333 nm。CeYAG晶体可以用于影像核医学吗?浙江常规尺寸CeYAG晶体

衰减时间测量我们主要采用同济大学物理系自行设计的脉冲X射线激发荧光寿命谱仪。该装置采用时间关联的单光子延迟法,能够同时产生两路信号,一路直接或间接(能够产生快时间触发)作为仪器的起始信号,另一路激发样品发光,由探测器探测作为仪器的终止信号。光源部分主要由Hamamatsu PLP-01 光脉冲控制器、LDH065激光器及N5084光激发X射线管组成。激光的脉冲宽度为98 ps,时间偏差为正负10 ps,重复频率从DC(直流)到10 MHz连续可调[94]。实际产生的X射线的脉冲宽度约为113 ps,优于北京同步辐射的脉冲宽度160 ps[95]。仪器时间分辨率为0.95 ns左右。

我们的 Ce: YAG(TGT)样品采用其他方法测试。其中激发源采用皮秒-纳秒脉冲产生器,基本工作原理是加速电子打到金属靶上而产生X射线轫致辐射,其平均能量大概在零点几MeV。由光电倍增管探测光信号,并用电流型瞬态方法研究其时间响应特性。

根据固体发光理论,材料的理想发光衰减时间谱一般可写成一个或几个指数衰减成分的迭加

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1.1 Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体的研究铈离子掺杂的铝酸钇(Ce: YAP)和钇铝石榴石(Ce: YAG)高温闪烁晶体不仅具有高光输出和快衰减的闪烁特性(表1-5),且其基质晶体还具有优良的物理化学特性(表1-6)。它们的缺点是密度低有效原子序数小,但是它们可以广泛应用在中低能量射线和粒子探测领域中。Ce: YAP和Ce: YAG是较为典型的两种高光输出快衰减高温无机闪烁晶体,其本身已经在很多场合获得应用,而且对它们的生长特征、晶体缺陷以及光学闪烁性能等的研究,对研究和探索其它铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有重要借鉴意义。

铈离子掺杂氧化物和硫化物闪烁晶体与卤素化合物晶体相比,氧化物晶体具有优良的热力学性能以及稳定的化学性质等优点。因此,铈离子掺杂的无机氧化物闪烁晶体包括铝酸盐、硅酸盐、硼酸盐以及磷酸盐等晶体受到人们的极大重视并被普遍研究[9]。表1-8总结了铈离子掺杂氧化物闪烁晶体的基本闪烁性能[9]。从表中可以知道,多数铈离子掺杂的氧化物闪烁晶体具有高光输出和快衰减等特征,尤其是铈离子掺杂的铝酸盐和硅酸盐闪烁晶体具有诱人的闪烁性能,如Ce:YAP,Ce:YAG,Ce:LSO和Ce:LuAP等无机闪烁晶体,被誉为新一代高性能无机闪烁晶体近年来, Ce:YAG单晶薄膜[84],以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等闪烁体由于有其独特的优势也备受人们的关注.

Ce:YAG高温闪烁晶体除了具有表1-11所列的闪烁性能外,还具有较好光脉冲区分γ射线和α粒子的能力,能与硅光二极管有效耦合,耐高温不潮解,可以应用于极端条件下[100]-[102]。因此,Ce:YAG与硅光二极管耦合做成的闪烁探测器可以广泛应用于低能γ射线,α粒子等轻带电粒子探测等核物理的实验中[100][101]。另外,Ce:YAG单晶片还可以用作扫描电子显微镜的显示元件,在大规模集成电路的检测方面有着重要的广阔的应用[107]。另外,与CsI:Tl闪烁晶体相比,Ce:YAG闪烁晶体在小于500Kev能量范围其γ响应小,光衰减快,不潮解等,因此可望部分取代CsI:Tl闪烁晶体的应用,表1-11比较了Ce:YAG和CsI:Tl闪烁晶体的主要闪烁性能研究表明,Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。河南111方向CeYAG晶体

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Ce:YAG高温闪烁晶体不但具有闪烁性能,而且具有良好的光脉冲分辨射线和粒子的能力,能与硅光二极管有效耦合,耐高温不潮解,可在极端条件下应用。因此,用Ce:YAG与硅光二极管耦合制成的闪烁探测器可普遍应用于低能射线、粒子等轻带电粒子的探测等核物理实验。此外,Ce:YAG单片机还可以作为扫描电子显微镜的显示元件,在大规模集成电路的检测中有着重要而普遍的应用。另外,与CsI:Tl闪烁晶体相比,Ce:YAG闪烁晶体响应小,光衰减快,在小于500Kev的能量范围内不潮解,有望部分替代CsI:Tl闪烁晶体。表1-11比较了Ce3360 YAG和CsI:Tl闪烁晶体的主要闪烁特性。浙江常规尺寸CeYAG晶体

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