上式中X 为传感器受到的重量，重量间隔为10克；Y 为3504欧路显示的过程值，R为相关系数，A为截距，B为斜率。测试结果表明新系统的相关系数为-0.99998，标准差为0.062（原系统为-0.99992，标准差为0.117）, 具有很好的线性，确保了在晶体生长过程中控制系统能精确地得到晶体重量信息，从而有效控制晶体生长。
程序段的选择
由于晶体放肩阶段属强迫限制晶体直径增大的过程，晶体尺寸的变化率比较大，如果程序段过少，容易在晶体表面出现明显的分段现象，从而影响晶体的内部质量。在确保控制精度的前提下，为了效控制晶体外形尺寸，需要考虑增加晶体的生长程序。在生长大尺寸Ce: YAP晶体时我们使用300个程序段放肩（3504欧路控制器程序段共500段），而采用818欧陆控制器的放肩程序*为30段。
结果表明，增加程序段后，晶体放肩部分的外形控制得到明显改善 文献提出惰性气氛生长的纯YAP晶体很容易在波长小于280nm的紫外辐照下着色.抛光CeYAP晶体方法
另外辐照对Ce,Mn:YAP的颜色影响很大，Ce,Mn:YAP晶体在辐照后变成蓝灰色，空气中加热退火可使晶体重新变为橙黄色。为了了解其中的缺陷性质，我们还测量了Ce,Mn:YAP晶体的高温热释光谱。图4-52为Ce,Mn:YAP的热释光曲线。Ce,Mn:YAP晶体在整个加热过程中出现了三个热释光峰，分别位于459K、507K和660K。热释光峰的***能E和频率因子s可以采用“通用级”动力学表达式计算得出错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。。图4.4.10中的虚线为根据式(2.2.18)计算拟合的结果，它与实验结果相当吻合。重庆CeYAP晶体同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。
不同样品的积分值随厚度增加明显减小。表中同时列出了X射线激发发射谱峰的面积值，由结果可见Ce: YAP晶体的透过率变化（自吸收）与其在高能射线激发下的发光强度具有直接的对应关系，表明***自吸收将能有效提高Ce: YAP晶体的发光强度。1.1.1 不同浓度Ce: YAP晶体自吸收比较为了比较浓度对自吸收的影响，我们测量了相同厚度（0.8mm）不同浓度Ce: YAP晶体的光谱性能。不同浓度Ce: YAP晶体（0.1%，0.2 %，0.3 %，0.6 %）的透过谱如图4-5所示。随浓度增加Ce: YAP 的吸收带出现红移，自吸收加强。
从Ce3+ 离子2F7/2和2F5/2 态能级在YAP 晶体中的能级分裂看，2F7/2能级在晶体场中分裂的子能级宽度对应波数范围为3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 态能级分裂的子能级宽度范围为500 cm-1左右， 5d比较低能级的对应波数为33000 cm-1。可以得到Ce3+ 在YAP基质中激发谱(d-f 跃迁)的比较低能级跃迁的波长为336.1nm（29750 cm-1），因此316nm的激发峰成分虽然发光波长比较偏红光方向，但仍在允许范围内。当激发波长从294nm（34013cm-1）到316nm（31645 cm-1）变化时，各子能级都有可能被激发，且不同能量激发时各子能级之间的跃迁强度比可能会有所差别。因此激发谱中几个发光成分其实还可以再分解为不同子能级的发光，而且叠加后的峰形会比单峰明显展宽，普通的拟和只能作近似表达。Ce:YAP晶体生长原料需要哪些？
1.1 无机闪烁晶体的性能表征在选择无机闪烁晶体时，根据不同的应用需要，一般要考虑因素包括[9]：
衰减时间; 能量转换效率和闪烁光产额; 密度，原子序数，阻截功率等。
(1) 衰减时间常数
对于只具有一种类型的发光中心的闪烁体，当其发光强度按照一级动力学进行衰减时，衰减时间常数可以有如下简单的定义：即当发光强度J(t)衰减为初始发光强度J(0)的1/e时所经历的时间。用公式表示如下：
J(t) = J(0)exp(-t/τ) (1.2)
上式1.3中的τ即表示的是衰减时间常数。对于计数率要求较高的应用中，要求闪烁晶体具有较快的衰减时间常数。
对于电偶极允许的跃迁，其发光衰减时间可以用下式表示：
τ = CeYAP晶体不同浓度如何辨别？广西专业抛光CeYAP晶体订做价格
不同退火条件Ce:YAP晶体自吸收比较。抛光CeYAP晶体方法
考虑到不同生长气氛会引起Ce离子变价，使Ce3+ 数量发生变化，从而对荧光强度可能会造成的影响，测试了浓度均为0.3% YAP: Ce样品的红外透过谱，以比较对应样品中Ce3+ 离子的浓度。YAP: Ce晶体的 Ce3+ 离子在1800cm-1－4000cm-1范围内具有3个较强的吸收峰，分别对应于2087cm-1，2702cm-1和3260cm-1，在2480cm-1左右有一个很弱的吸收峰，所有这些吸收峰对应于Ce3+ 离子基态2F5/2到基态2F7/2的Stark子能级之间的跃迁，属于禁戒跃迁，强度低，受晶场作用弱，因此可以方便地用来表征晶体中Ce3+ 离子的浓度[108]。抛光CeYAP晶体方法
