由于存在Ce3+离子的非辐射跃迁，Ce,Mn:YAP的衰减时间的快慢成分均变为原来的一半，其中快成分为10ns左右，2mm厚度Ce,Mn:YAP样品的XEL强度约为Ce:YAP发光强度的30%左右（约12%Na(Ti)）。考虑到透过率，一定厚度的Ce,Mn:YAP晶体作为超快闪烁材料具有较好的应用价值。辐照后的Ce,Mn:YAP样品在550K退火后Ce3+离子发光峰***增强，除了Ce3+离子本身的数量变化，同时也反映了Ce4+对Ce3+发光的淬灭作用。比较了Ce离子浓度，退火，辐照，杂质等各项因素对Ce: YAP 晶体的自吸收的影响。通过分析Ce: YAP 晶体的自吸收机理，发现Ce4+ 离子在380nm左右存在一宽带电荷转移吸收峰，半高宽近100nm。该结果表明Ce: YAP 晶体的自吸收可通过消除Ce4+ 离子***，同时结果表明Ce4+ 离子对Ce3+ 离子的发光有明显的淬灭作用。有观点认为YAP晶体的本征紫外发光中心与反位缺陷YAl3+有关.专业抛光CeYAP晶体现货
Ca2+ 离子掺杂增加了晶体中的Ce4+ 离子和其他缺陷，严重影响了晶体的发光强度和衰减时间。Si4+离子掺质Ce: YAP晶体的XEL谱强度和衰减时间的快成分比Ce: YAP 有所改善，虽然还存在慢成分偏大等问题，但很有可能通过改进生长工艺提高晶体的闪烁性能。联系Zr4+ 的研究结果，4价离子掺杂通常对Ce: YAP晶体的闪烁性能具有改善作用。2价离子掺杂则容易导致Ce:YAP晶体缺陷增加而降低其闪烁性能，因此在生长过程中需要尽量避免2价离子影响。4价Si离子掺杂可能是进一步提高和改善Ce:YAP晶体闪烁性能的一个途径，但目前看，效果不如直接在还原气氛下生长。专业抛光CeYAP晶体现货Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体具有良好的物化性能，是无机闪烁晶体中较有优势的晶体.
不同气氛生长Ce: YAP的激发谱的强度，峰位，峰宽差别都比较大。从拟和情况看，惰性气氛生长晶体的3个发光峰成分比较接近高斯分布。而还原气氛生长晶体的3个发光峰从拟和结果看，不是很理想，说明其中发光成分，特别是294nm（34013cm-1）和316nm（31645 cm-1）两个发光成分不是普通的高斯分布。由于Ce3+ 离子的d激发态电子没有外电场屏蔽，非常容易受外场影响，但不同气氛生长样品的吸收谱中所有Ce3+ 吸收峰的位置都相同，因此可以认为还原气氛生长并没有改变晶体基本的能级结构。
无机闪烁晶体的光输出主要与晶体的组成结构（β，Eg），电子空穴对到发光中心能量传递效率及发光中心的量子效率（α）有关。
NaI:Tl闪烁晶体具有比较大的光输出（约为48，000Ph/MeV）。将其它无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较，所得的相对值（%NaI(Tl)）称作“相对光输出”。通常采用相对光输出来表征无机闪烁晶体的光输出。
（3）密度，线性吸收系数，质量吸收系数，有效原子序数，辐射长度，Moliere半径[7-9]。
在高能伽马射线探测应用中，高密度的无机闪烁晶体经常被用到。因为晶体密度高可以减少探测器的尺寸。
当强度为J0的入射辐照通过厚度为x的材料时，出射辐照的强度J可近似地表示为：
J=J0exp(-μx) (1.8)
其中μ为线性吸收系数。对于伽马射线而言，它们主要和固体中的电子相互作用，此时μ主要决定于固体中的电子密度ne和一个电子的吸收截面σe，所以线性吸收系数还可以表示如下：
μ= = ( CeYAP晶体一般常规浓度是多少？
另一个类似于辐射长度的物理量叫做摩尔半径(RM):RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.13)
小摩尔半径有利于减少其他粒子对能量测量的污染。吸收系数、辐射长度和摩尔半径与晶体密度直接或间接成反比。因此，寻找高密度闪烁晶体已成为未来闪烁晶体的一个重要研究方向。为了减小探测器的尺寸和成本，希望探测器越紧凑越好。因此，要求闪烁晶体在防止辐射方面尽可能强，表现为晶体的吸收系数大、辐射长度短、摩尔半径小。
晶体中e3的电子结构、能级结构和发光特性
表1-3给出了镧系元素的电子壳层结构和离子半径。从表中可以看出，Ce元素的电子结构为[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的电子结构以[Xe]4f1为特征，Ce3的内部电子结构为惰性原子结构，0外层只有一个电子结构，所以Ce3在晶体中具有独特的能级结构和发光特性[10-12]:
(1)Ce3离子的一个电子在4f能级上L=3，在5d能级上L=2，它们的宇称不同，所以Ce3离子的5d-4f跃迁是允许的电偶极子跃迁。在这个允许的5d-4f跃迁中，电子在5d能级的寿命很短，一般在低5d能级的30~100ns，所以作为闪烁晶体的发光中心，它的衰变时间很短。
CeYAG晶体的吸收光谱是？湖北加工CeYAP晶体订做价格
Ce:YAP一种典型的无机闪烁晶体，具有高光输出和快速衰减特性，可广泛应用于各种闪烁检测领域。专业抛光CeYAP晶体现货
在上式(1.3)中，c为光速，me为电子质量，e为电子电荷，λ为发光波长，f为发光跃迁的振子强度，n为闪烁体的折射率。显然，发射波长处于紫外范围的闪烁体和折射率较高的基质可能具有较快的衰减时间，这和一些实验结果相符合。通过上述公式进行计算，对于电偶极允许跃迁，其**快的衰减时间是几个ns。
实际上，对于大多数的无机闪烁晶体，具有两个甚至更多的衰减时间常数。对于具有两个衰减时间常数的晶体，其发光强度随时间的变化可以表示如下：
J(t) = exp(-t/τ1) ＋ exp(-t/τ2) 专业抛光CeYAP晶体现货
