不同退火条件的的荧光发射谱峰形基本相同（图4-9），强度随退火条件有所变化。氢退火温度越高，Ce: YAP发光强度越大；氧气退火则相反，温度越高发光强度越低，其中强度变化在氢退火时表现得更为明显。
XEL谱（图4-10）综合了荧光和退火的结果。从退火实验可知，氢退火温度越高，Ce: YAP发光强度越大，且峰位越往短波方向移动；氧气退火则相反，温度越高发光强度越低。XEL 峰位移动与透过谱中吸收带的移动直接相关，其中峰位和强度的变化充分说明退火气氛和温度对Ce: YAP发光的影响 Ce:YAP闪烁晶体的性能如何？黑龙江超薄片CeYAP晶体
新生长的Ce: YAP 晶体中Ce3+ 浓度与原来样品的Ce3+ 浓度基本相同，说明还原气氛生长对Ce3+ 数量的影响不是很大，可基本排除价态变化引起的Ce3+ 离子增加造成荧光增强的可能性。其中Ce3+ 数量变化不大可能与还原气氛生长时Ce4+ 减少和Ce2+ 增加造成的相互抵消有关。Ce: YAP晶体的XEL谱，由于自吸收的减弱以及样品本身发光的增强，还原气氛下生长的Ce: YAP晶体不但发光增强，而峰位发生明显蓝移。从图4-34可见，还原气氛下生长Ce: YAP晶体衰减时间的快慢成分分别为34.1ns和 91.0ns，较惰性气氛生长晶体均有所增大。衰减时间增大可能与晶体在还原气氛生长时氧空位等其他电荷捕获缺陷增加相关，因此氢气的比例等具体生长条件还需要进一步优化福建生长CeYAP晶体YAP会出现着色现象吗？
（1）籽晶的选择：籽晶的方向以及质量直接影响了提拉晶体的质量。对于YAP单晶体而言，由于晶体具有严重的各向异性，b轴的热膨胀系数较a，c轴大得多（a：4.2×10-6 oC-1,b：11.7×10-6 oC-1，c：5.1×10-6 oC-1），容易在生长过程中产生结构应力和相应的热应力，这些热应力还将促使晶体形成孪晶。为了减小这种影响，我们选择了〈100〉，〈010〉，〈001〉〈101〉等各方向的YAP籽晶，籽晶尺寸为Φ8×50mm。
（2）热场的选择：由于YAP晶体热膨胀系数以及热导率的轴向差异性，所以除了选择合适的籽晶外，更重要的是选择合适的温场环境。由于具有钙钛矿结构的YAP晶体的挛晶习性容易显露，为了克服挛晶的形成，需要在固液界面处以及整个生长腔内形成合适的温度梯度。
（3）生长气氛：由于采用中频加热法生长，且主要的保温材料均为高熔点绝热氧化物（ZrO2，Al2O3等），虽然在炉膛内充高纯氩气，但是整个提拉法系统中还是保持弱氧化性，使得Ce4+离子含量增多，研究表明，Ce4+离子对Ce3+离子发光具有猝灭效应。因此在生长过程中，我们通常为惰性气氛生长，并且尝试了弱还原气氛生长，其中惰性气氛为高纯氩气，弱还原气氛为高纯氩和高纯氢的混合气体（2-10%氢）。
实验中使用的激发源脉冲为激光装置发射的波长为 266nm(属于260～300nm宽带谱内)、半宽约为 30ps 的激光信号，在此实验中可视为 δ(t)函数脉冲。由激光激发 Ce: YAP 闪烁晶体所产生的荧光由 GD40 光电管测量，再由长度约3m的高频同轴电缆传输，***由高频数字示波器记录。GD40光电管是一种没有电子增益的光敏器件，其响应脉冲半高宽约为300ps；3m长的syv-50-5型同轴电缆经高频网络分析仪测量，其带宽大约为 1．95GHz；Tektronix公司生产的TDS系列的数字示波器的带宽为1GHz。总之，整个测量系统的总带宽约为1GHz，等效上升时间约为350ps，所以修正量很小，可以从示波器上记录的脉冲波形直接求得闪烁体的光致激发荧光衰减常数文献提出惰性气氛生长的纯YAP晶体很容易在波长小于280nm的紫外辐照下着色.
由于存在Ce3+离子的非辐射跃迁，Ce,Mn:YAP的衰减时间的快慢成分均变为原来的一半，其中快成分为10ns左右，2mm厚度Ce,Mn:YAP样品的XEL强度约为Ce:YAP发光强度的30%左右（约12%Na(Ti)）。考虑到透过率，一定厚度的Ce,Mn:YAP晶体作为超快闪烁材料具有较好的应用价值。辐照后的Ce,Mn:YAP样品在550K退火后Ce3+离子发光峰***增强，除了Ce3+离子本身的数量变化，同时也反映了Ce4+对Ce3+发光的淬灭作用。比较了Ce离子浓度，退火，辐照，杂质等各项因素对Ce: YAP 晶体的自吸收的影响。通过分析Ce: YAP 晶体的自吸收机理，发现Ce4+ 离子在380nm左右存在一宽带电荷转移吸收峰，半高宽近100nm。该结果表明Ce: YAP 晶体的自吸收可通过消除Ce4+ 离子***，同时结果表明Ce4+ 离子对Ce3+ 离子的发光有明显的淬灭作用。目前生长的Ce:YAP 晶体长期存在自吸收问题，导致光产额一直无法有效提高。四川生长CeYAP晶体
CeYAP晶体是感应炉生长的吗？黑龙江超薄片CeYAP晶体
(1) 电子空穴对的产生
假定一个具有中等能量(小于0.1 MeV)的X射线或者Gamma射线量子同一个闪烁体或者任何凝聚态物质相互作用，在这种情况下，光电效应占据主导地位，并将在一个原子的内壳层（通常是K层）产生一个空穴和一个自由或准自由电子。这个过程可以表示为固体中某个原子A的单离化反应:
A + hν → A+ + e
此处hν**被固体完全吸收的入射光量子的能量，产生的初级电子的能量等于hν – Ek, 此处Ek是原子A的K电子层能量 （对于在NaI和CsI晶体中的I原子，Ek约等于33 KeV）。
闪烁过程的第二个阶段是**复杂也是**多种多样的。空穴和电子的弛豫过程是不同的。一个内壳层被离化的原子(A+)可以通过辐射跃迁发射一个光子进行弛豫也可以通过产生一个二次电子（俄歇电子）进行无辐射弛豫。通常，无辐射衰减的概率远大于辐射衰减的概率。俄歇电子和初级电子一样也通过散射电子和发射声子的方式损失能量。原子内壳层中电子能级之间辐射跃迁的能量一般和X射线的能量相当。这个二次X射线光子可以被另一个原子吸收产生一个新的深空穴和自由电子。结果，空穴从原子(A+)的K层跑到L或M层，然后参与弛豫过程的下一步。 黑龙江超薄片CeYAP晶体
