1.1 无机闪烁晶体的性能表征在选择无机闪烁晶体时，根据不同的应用需要，一般要考虑因素包括[9]：
衰减时间; 能量转换效率和闪烁光产额; 密度，原子序数，阻截功率等。
(1) 衰减时间常数
对于只具有一种类型的发光中心的闪烁体，当其发光强度按照一级动力学进行衰减时，衰减时间常数可以有如下简单的定义：即当发光强度J(t)衰减为初始发光强度J(0)的1/e时所经历的时间。用公式表示如下：
J(t) = J(0)exp(-t/τ) (1.2)
上式1.3中的τ即表示的是衰减时间常数。对于计数率要求较高的应用中，要求闪烁晶体具有较快的衰减时间常数。
对于电偶极允许的跃迁，其发光衰减时间可以用下式表示：
τ = 同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。超薄片CeYAP晶体现货
式中的Z表示闪烁体的有效原子序数。通常要求闪烁晶体对入射辐照具有大的吸收系数，例如对断层扫描技术来说，采用吸收系数大的材料制造探测器，不仅可使探测器尺寸紧凑，而且能改善其空间分辨率。空间分辨率对核物理和高能物理实验用的探测器特别重要。
有时候也采用质量吸收系数μm＝μ/D（D**密度）来代替线性吸收系数μ。因为质量吸收系数和材料的晶体结构及相没有关系。
闪烁体的有效原子序数通常由下式进行计算：
Z = (1.10)
上式(1.10)中的Wi为组成晶体的原子i的重量百分含量，Zi为组成晶体原子i的原子序数。
入射到晶体中的光子、电子（或正电子）在晶体中穿过一定距离后，其能量下降到原来的1/e，这个距离称为该晶体的辐射长度（通常用X0表示）。它表征着闪烁体对射线的截止本领。从上述定义可以得出：
X0=1/μ 天津专业抛光CeYAP晶体订做价格无机闪烁晶体的闪烁机理是什么？
1.1.1 Ce: YAP晶体生长过程（1）籽晶的选择：籽晶的方向以及质量直接影响了提拉晶体的质量。对于YAP单晶体而言，由于晶体具有严重的各向异性，b轴的热膨胀系数较a，c轴大得多（a：4.2×10-6 oC-1,b：11.7×10-6 oC-1，c：5.1×10-6 oC-1），容易在生长过程中产生结构应力和相应的热应力，这些热应力还将促使晶体形成孪晶。为了减小这种影响，我们选择了〈100〉，〈010〉，〈001〉〈101〉等各方向的YAP籽晶，籽晶尺寸为Φ8×50mm。
（2）热场的选择：由于YAP晶体热膨胀系数以及热导率的轴向差异性，所以除了选择合适的籽晶外，更重要的是选择合适的温场环境。由于具有钙钛矿结构的YAP晶体的挛晶习性容易显露，为了克服挛晶的形成，需要在固液界面处以及整个生长腔内形成合适的温度梯度。
（3）生长气氛：由于采用中频加热法生长，且主要的保温材料均为高熔点绝热氧化物（ZrO2，Al2O3等），虽然在炉膛内充高纯氩气，但是整个提拉法系统中还是保持弱氧化性，使得Ce4+离子含量增多，研究表明，Ce4+离子对Ce3+离子发光具有猝灭效应。因此在生长过程中，我们通常为惰性气氛生长，并且尝试了弱还原气氛生长，其中惰性气氛为高纯氩气，弱还原气氛为高纯氩和高纯氢的混合气体（2-10%氢）。
掺杂浓度为3at%的YAP:Mn晶体呈多晶形态，单晶生长未获成功，我们认为这与Mn4+在YAP晶体中分凝系数较小有关。Mn4+进入YAP晶格取代Al3+离子所必需的电荷补偿除一部分由Mn2+离子提供外，主要由YAP晶体中本身存在的大量Y3+离子空位(VY)提供。由于电荷补偿，离子半径与电负性的差异，YAP晶体中掺杂的Mn离子浓度不能过高。根据文献[27]Mn离子在YAP中的分凝系数约为0.1～0.12,分凝系数低说明Mn离子不易进入YAP晶格。M. A. Noginov等成功生长了YAP:Mn(2at%)晶体[184][185]，这是目前为止报道的比较高Mn离子掺杂浓度的YAP晶体。YAP:Mn(3at.%)单晶生长失败可能是因为Mn离子浓度过高，熔融中大量Mn离子无法进入YAP晶格，导致单晶生长失败。CeYAP晶体有什么优势?
（1）籽晶的选择：籽晶的方向以及质量直接影响了提拉晶体的质量。对于YAP单晶体而言，由于晶体具有严重的各向异性，b轴的热膨胀系数较a，c轴大得多（a：4.2×10-6 oC-1,b：11.7×10-6 oC-1，c：5.1×10-6 oC-1），容易在生长过程中产生结构应力和相应的热应力，这些热应力还将促使晶体形成孪晶。为了减小这种影响，我们选择了〈100〉，〈010〉，〈001〉〈101〉等各方向的YAP籽晶，籽晶尺寸为Φ8×50mm。
（2）热场的选择：由于YAP晶体热膨胀系数以及热导率的轴向差异性，所以除了选择合适的籽晶外，更重要的是选择合适的温场环境。由于具有钙钛矿结构的YAP晶体的挛晶习性容易显露，为了克服挛晶的形成，需要在固液界面处以及整个生长腔内形成合适的温度梯度。
（3）生长气氛：由于采用中频加热法生长，且主要的保温材料均为高熔点绝热氧化物（ZrO2，Al2O3等），虽然在炉膛内充高纯氩气，但是整个提拉法系统中还是保持弱氧化性，使得Ce4+离子含量增多，研究表明，Ce4+离子对Ce3+离子发光具有猝灭效应。因此在生长过程中，我们通常为惰性气氛生长，并且尝试了弱还原气氛生长，其中惰性气氛为高纯氩气，弱还原气氛为高纯氩和高纯氢的混合气体（2-10%氢）。
文献提出惰性气氛生长的纯YAP晶体很容易在波长小于280nm的紫外辐照下着色.福建常规尺寸CeYAP晶体
不同浓度Ce:YAP晶体自吸收比较。超薄片CeYAP晶体现货
闪烁材料的发展历史大致可以分为三个阶段，***个阶段是伦琴射线发现之后，CaWO4作为成像物质初次使用；随后，ZnS材料被克鲁克斯(Crookes)用来探测和记录放射性物质发出的辐射，并被卢瑟福（Rutherford）用来研究α粒子的散射。
第二阶段，随着霍夫施塔特对于NaI(Tl)闪烁材料的研究和发展，一系列纯的和掺杂的碱卤晶体被发现，接着***块Ce掺杂的玻璃闪烁体在五十年代也被发现，在这一阶段发现的闪烁材料中，也包括具有600ps快发光成分的BaF2晶体。
第三个阶段，也就是过去的二十年左右，由于高能物理、核医学成象、地质探测以及科学和工业应用方面的需要，闪烁材料得到了巨大的发展。有关闪烁材料研究的会议也频繁召开。
近几年又出现了一些较新的快闪烁材料如以Zn0为基质的闪烁体，掺Pr氧化物晶体[2,3]，Yb: YAG等[4-6]。其中Zn0 和Yb: YAG 的衰减时间均在1ns以内，但光产额较低，且Zn0 晶体生长难度很大；Pr3+ 由于存在 d-f 跃迁发光，其氧化物晶体的衰减时间比甚至比掺Ce氧化物晶体还快，如Pr: YAG 为17ns，但由于Pr能级复杂，使光产额受到很大影响。**近有报道称掺Ga 的Zn0发光强度有很大提高，且对时间特性影响不大[7]。由于各种原因，这些新闪烁材料离实际应用还有不少路要走。 超薄片CeYAP晶体现货
