不同样品的积分值随厚度增加明显减小。表中同时列出了X射线激发发射谱峰的面积值，由结果可见Ce: YAP晶体的透过率变化（自吸收）与其在高能射线激发下的发光强度具有直接的对应关系，表明***自吸收将能有效提高Ce: YAP晶体的发光强度。1.1.1 不同浓度Ce: YAP晶体自吸收比较为了比较浓度对自吸收的影响，我们测量了相同厚度（0.8mm）不同浓度Ce: YAP晶体的光谱性能。不同浓度Ce: YAP晶体（0.1%，0.2 %，0.3 %，0.6 %）的透过谱如图4-5所示。随浓度增加Ce: YAP 的吸收带出现红移，自吸收加强。解决自吸收问题，生长大尺寸的Ce:YAP 晶体对闪烁材料的研究和应用具有重要意义。河北加工CeYAP晶体
因此，有一个空穴在内壳层的原子(A+)的弛豫过程是一个无辐射跃迁和辐射跃迁的层叠过程，其所需时间一般为10-13到10-15 s。
一个在离化过程中产生的自由电子在固体中运动时将离化一个原子A，可以下式表示：
A + e → A+ + 2e
在这个离化过程发生以后，导致离化的自由电子和在这个离化过程中产生的自由电子在本质上是难以区分的。这些二次离化事件的产物即上述离化过程产生的两个电子可以导致第三次离化，第四次离化，等等，从而导致产生电子和空穴的雪崩过程。这样的一个层叠离化过程将持续到产生的电子和光子不能产生进一步的离化为止。快电子通过与原子中电子进行非弹性散射的方式损失能量，因此闪烁过程的第二个阶段可以被称为电子－电子弛豫。这个阶段的**终产物是在晶体中的低能电子激发：导带电子，价带空穴，芯带和价带激子。随着初始电子的能量不同，电子－电子的弛豫时间一般为10-15-10-13 s。 湖北专业生长CeYAP晶体订做价格目前生长的Ce:YAP 晶体长期存在自吸收问题，导致光产额一直无法有效提高。
新生长的Ce: YAP 晶体中Ce3+ 浓度与原来样品的Ce3+ 浓度基本相同，说明还原气氛生长对Ce3+ 数量的影响不是很大，可基本排除价态变化引起的Ce3+ 离子增加造成荧光增强的可能性。其中Ce3+ 数量变化不大可能与还原气氛生长时Ce4+ 减少和Ce2+ 增加造成的相互抵消有关。Ce: YAP晶体的XEL谱，由于自吸收的减弱以及样品本身发光的增强，还原气氛下生长的Ce: YAP晶体不但发光增强，而峰位发生明显蓝移。从图4-34可见，还原气氛下生长Ce: YAP晶体衰减时间的快慢成分分别为34.1ns和 91.0ns，较惰性气氛生长晶体均有所增大。衰减时间增大可能与晶体在还原气氛生长时氧空位等其他电荷捕获缺陷增加相关，因此氢气的比例等具体生长条件还需要进一步优化
(1) 电子空穴对的产生
假定一个具有中等能量(小于0.1 MeV)的X射线或者Gamma射线量子同一个闪烁体或者任何凝聚态物质相互作用，在这种情况下，光电效应占据主导地位，并将在一个原子的内壳层（通常是K层）产生一个空穴和一个自由或准自由电子。这个过程可以表示为固体中某个原子A的单离化反应:
A + hν → A+ + e
此处hν**被固体完全吸收的入射光量子的能量，产生的初级电子的能量等于hν – Ek, 此处Ek是原子A的K电子层能量 （对于在NaI和CsI晶体中的I原子，Ek约等于33 KeV）。
闪烁过程的第二个阶段是**复杂也是**多种多样的。空穴和电子的弛豫过程是不同的。一个内壳层被离化的原子(A+)可以通过辐射跃迁发射一个光子进行弛豫也可以通过产生一个二次电子（俄歇电子）进行无辐射弛豫。通常，无辐射衰减的概率远大于辐射衰减的概率。俄歇电子和初级电子一样也通过散射电子和发射声子的方式损失能量。原子内壳层中电子能级之间辐射跃迁的能量一般和X射线的能量相当。这个二次X射线光子可以被另一个原子吸收产生一个新的深空穴和自由电子。结果，空穴从原子(A+)的K层跑到L或M层，然后参与弛豫过程的下一步。 文献提出惰性气氛生长的纯YAP晶体很容易在波长小于280nm的紫外辐照下着色.
闪烁材料的发展历史大致可以分为三个阶段，***个阶段是伦琴射线发现之后，CaWO4作为成像物质初次使用；随后，ZnS材料被克鲁克斯(Crookes)用来探测和记录放射性物质发出的辐射，并被卢瑟福（Rutherford）用来研究α粒子的散射。
第二阶段，随着霍夫施塔特对于NaI(Tl)闪烁材料的研究和发展，一系列纯的和掺杂的碱卤晶体被发现，接着***块Ce掺杂的玻璃闪烁体在五十年代也被发现，在这一阶段发现的闪烁材料中，也包括具有600ps快发光成分的BaF2晶体。
第三个阶段，也就是过去的二十年左右，由于高能物理、核医学成象、地质探测以及科学和工业应用方面的需要，闪烁材料得到了巨大的发展。有关闪烁材料研究的会议也频繁召开。
近几年又出现了一些较新的快闪烁材料如以Zn0为基质的闪烁体，掺Pr氧化物晶体[2,3]，Yb: YAG等[4-6]。其中Zn0 和Yb: YAG 的衰减时间均在1ns以内，但光产额较低，且Zn0 晶体生长难度很大；Pr3+ 由于存在 d-f 跃迁发光，其氧化物晶体的衰减时间比甚至比掺Ce氧化物晶体还快，如Pr: YAG 为17ns，但由于Pr能级复杂，使光产额受到很大影响。**近有报道称掺Ga 的Zn0发光强度有很大提高，且对时间特性影响不大[7]。由于各种原因，这些新闪烁材料离实际应用还有不少路要走。 YAP会出现着色现象吗？海南专业抛光CeYAP晶体
铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。河北加工CeYAP晶体
530nm 发射波长在475K 退火后增强，说明退火过程中存在 Mn3+ 得到电子转化成 Mn2+ 的过程：Mn3+ + e = Mn2+，该过程与TSL 谱中459K 处发光有关。在550K 退火后，Ce3+ 离子在485nm左右的发光峰增强了近一倍，说明TSL 谱中507K 峰主要与Ce4+ 电子转化成Ce3+ 有关，即：Ce4+ + e = Ce3+。从550 K开始，更多的Mn5+离子开始转变成Mn4+ 离子，产生位于约675 K的热释光峰。当加热到700 K时，几乎所以Mn5+ 离子色心都被消除，晶体回复到辐照前的颜色。因此700K 退火后，XEL谱中 714nm 处的Mn4+离子明显增强。河北加工CeYAP晶体
