为了研究过渡金属可能对Ce: YAP晶体性能的影响，我们生长了Mn 离子掺杂的Ce: YAP 晶体，并与Mn: YAP和Ce: YAP 晶体进行了比较。选用Mn 离子一是由于Mn 对YAP 晶体的吸收谱影响很大；二是M. A. Noginov等人将Ce离子掺入Mn: YAP中来获得三价Mn离子[113]，Ce3+离子可以为Mn4+ 离子提供一个电子，使其变成三价：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 对Ce离子价态变化的影响；而且Mn离子和Ce离子之间可能存在能量传递过程，对研究Ce: YAP晶体的闪烁性能会有一些参考作用。Ce:YAP晶体的能量分辨率为2.5%。天津加工CeYAP晶体
Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP 的荧光激发发射谱，714nm 和685nm发射峰为Mn4+ 离子 2E - 4A2 跃迁[113]。332 nm, 373 nm 和 480 nm ( λem=714nm) 分别属于Mn4+离子的4A2→4T1 (4F), 4A2→4T1 (4P), 4A2→4T2 跃迁。Ce, Mn: YAP 晶体的Ce3+ 的发射峰在397nm，比Ce: YAP 晶体红移了近30 nm，主要是Mn4+ 离子的吸收造成的。图 4-49 中，Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP在480 nm的吸收峰属于Mn4+ 离子的4A2→4T2 跃迁，另从透过谱可知，Mn离子掺杂后Ce: YAP的透过边有明显红移动，并且整体透过性能降低。海南专业抛光CeYAP晶体CeYAP晶体是电阻炉长出来的吗？
在上式(1.3)中，c为光速，me为电子质量，e为电子电荷，λ为发光波长，f为发光跃迁的振子强度，n为闪烁体的折射率。显然，发射波长处于紫外范围的闪烁体和折射率较高的基质可能具有较快的衰减时间，这和一些实验结果相符合。通过上述公式进行计算，对于电偶极允许跃迁，其**快的衰减时间是几个ns。
实际上，对于大多数的无机闪烁晶体，具有两个甚至更多的衰减时间常数。对于具有两个衰减时间常数的晶体，其发光强度随时间的变化可以表示如下：
J(t) = exp(-t/τ1) ＋ exp(-t/τ2)
实验中使用的激发源脉冲为激光装置发射的波长为 266nm(属于260～300nm宽带谱内)、半宽约为 30ps 的激光信号，在此实验中可视为 δ(t)函数脉冲。由激光激发 Ce: YAP 闪烁晶体所产生的荧光由 GD40 光电管测量，再由长度约3m的高频同轴电缆传输，***由高频数字示波器记录。GD40光电管是一种没有电子增益的光敏器件，其响应脉冲半高宽约为300ps；3m长的syv-50-5型同轴电缆经高频网络分析仪测量，其带宽大约为 1．95GHz；Tektronix公司生产的TDS系列的数字示波器的带宽为1GHz。总之，整个测量系统的总带宽约为1GHz，等效上升时间约为350ps，所以修正量很小，可以从示波器上记录的脉冲波形直接求得闪烁体的光致激发荧光衰减常数闪烁材料的发展历史可以大致分为几个阶段？。
不同退火条件的的荧光发射谱峰形基本相同（图4-9），强度随退火条件有所变化。氢退火温度越高，Ce: YAP发光强度越大；氧气退火则相反，温度越高发光强度越低，其中强度变化在氢退火时表现得更为明显。
XEL谱（图4-10）综合了荧光和退火的结果。从退火实验可知，氢退火温度越高，Ce: YAP发光强度越大，且峰位越往短波方向移动；氧气退火则相反，温度越高发光强度越低。XEL 峰位移动与透过谱中吸收带的移动直接相关，其中峰位和强度的变化充分说明退火气氛和温度对Ce: YAP发光的影响 CeYAP晶体有哪些浓度？河北加工CeYAP晶体
文献提出惰性气氛生长的纯YAP晶体很容易在波长小于280nm的紫外辐照下着色.天津加工CeYAP晶体
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