辽宁陶瓷封装技术

SiP系统级封装(SiP)制程关键技术，高密度打件，在高密度打件制程方面，云茂电子已达到约为婴儿发丝直径的40μm。以10x10被动组件数组做比较，大幅缩减超过70%的主板面积，其中的40%乃源自于打件技术的突破。 塑封 由于高密度打件采用微小化元器件与制程，因此元器件与载板之间的连结，吃锡量大幅减少，为提高打件可靠度，避免外界湿度、高温及压力等影响，塑封制程可将完整的元器件密封包覆在载板上。相较于一般委外封测(OSAT)塑封约100颗左右，云茂电子的系统级封装塑封技术，则是可容纳高达900颗组件。 SIP（System In Package，系统级封装）为一种封装的概念。辽宁陶瓷封装技术

在当前时代，Sip系统级封装（System-in-Package）技术崭露头角，通过将多个裸片（Die）和无源器件融合在单个封装体内，实现了集成电路封装的创新突破。这项技术为芯片成品增加了明显的集成度，有效减小产品体积，并在降低功耗方面取得了一定的成果。具体而言，SiP系统级封装技术将处理芯片、存储芯片、被动元件、连接器、天线等多功能器件整合在同一基板上，通过精密的键合和封装过程，创造了一个外观类似单一芯片的模块。尽管仍呈现芯片状，但这一模块实现了多颗芯片协同工作的强大功能。山东IPM封装流程SiP封装基板半导体芯片封装基板是封装测试环境的关键载体。

SiP具有以下优势：小型化 – 半导体制造的一个极具影响力的元素是不断小型化的能力。这一事实在物联网设备和小工具的新时代变得越来越重要。但是，当系统中只有几个组件可以缩小时，维护起来变得越来越困难。SiP在这里大放异彩，因为它可以提供更好的芯片集成和更紧密的无源集成。通过这种方式，SiP方法可以将给定系统的整体尺寸减小多达65%。简化 – SiP方法允许芯片设计人员使用更抽象的构建模块，从而具有更高的周转率和整体更短的设计周期的优势。此外，BOM也得到了简化，从而减少了对已经经过验证的模块的测试。

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高。

封装（Package），是把晶圆上切下来的裸片装配为芯片较终产品的过程，简单地说，就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。作为动词，“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作；作为名词，“封装”主要关注封装的形式、类别、基底、外壳、引线材料，强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。SiP封装是将不同功能的裸芯片，包括CPU、GPU、存储器等集成在一个封装体内，从而实现一整个芯片系统。不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合。山东IPM封装流程

SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的优势。辽宁陶瓷封装技术

与MCM相比，SiP一个侧重点在系统，能够完成单独的系统功能。除此之外，SiP是一种集成概念，而非固定的封装结构，它可以是2D封装结构、2.5D封装结构及3D封装结构。可以根据需要采用不同的芯片排列方式和不同的内部互联技术搭配，从而实现不同的系统功能。一个典型的SiP封装芯片如图所示。采用SiP封装的芯片结构图SiP封装可以有效解决芯片工艺不同和材料不同带来的集成问题，使设计和工艺制程具有较好的灵活性。与此同时，采用SiP封装的芯片集成度高，能减少芯片的重复封装，降低布局与排线的难度，缩短研发周期。辽宁陶瓷封装技术